|
|
|
|
| Сотрудниками Института физики полупроводников СО АН СССР открыт эф'фект долговременного запоминания заряда на границе двух диэлектриков в конденсаторе металл — диэлектрик — полупроводник (МДП). Это стало одним из итогов исследований поверхностных явлений, проводимых под руководством чл.-корр. АН СССР А. В. Ржанова с начала образования института. На основе открытого эффекта были созданы первые элементы МДП-памяти, позволяющие резко увеличить степень миниатюризации электронных приборов. |
|