|
|
|
|
| В Институте физики полупроводников СО АН СССР впервые установлены основные закономерности распространения поверхностных акустических волн в слоистых системах диэлектрик — полупроводник и взаимосвязь характеристик поверхностной волны с топологией возбуждающих ее электродов. Достижения сибирских ученых определили практические успехи акустоэлектроники. На их основе разработаны многочисленные акустоэлектрон-ыые устройства, в том числе элементы вычислительной техники. Эти работы послужили толчком к развитию аналогичных исследований в ГДР, Болгарии и Польше. |
|